可靠性实验室已经初步搭建完成,并已经投入运行,结合实际的应用情况,实验室平台,参与了第三代半导体联盟制定的《碳化硅金属氧化物场效应晶体管SiC MOSFET功率循环试验方法》的团体标准的制定,该标准于2025年12月正式发布,并于2026年1月,被国家标委会特采,升级为国家标准,目前《碳化硅金属氧化物场效应晶体管SiC MOSFET功率循环试验方法》国家标准正在修订中。
完成SiC功率循环测试方法的研究
完成多品牌SiC MOSFETIOL与PC可靠性数据验证
完成一项团体标准的参编发布
国芯微电子(广东)有限公司深度参与碳化硅 MOSFET 功率循环试验方法标准研制,作为核心参会单位投身国家标准征求意见研讨,充分展现企业在第三代半导体 SiC 器件领域的技术研发实力与行业标准化建设贡献,聚力推动国内功率半导体产业高质量发展。











